2月27日,据韩媒ETNews报道,SK海力士的第六代12层堆叠高带宽内存(HBM4)测试良率已超过70%,这意味着该产品已准备好大规模生产,并在竞争中处于有利地位。
据了解,SK海力士的12层堆叠HBM4在2024年底的良率达到了60%,最近的数据显示,其测试良率已提升到70%。这表明SK海力士在半导体技术和生产方面具有很强的实力。
SK海力士HBM4的发展迅速,部分原因是由于其第五代10nm级DRAM(1b)的成功应用。这项技术已经在性能和稳定性方面得到验证,并成功应用于SK海力士的HBM3e产品中。由于HBM3e曾实现80%的高良率,并将量产时间缩短了50%,业内人士预计HBM4的12层堆叠产品也会很快进入量产阶段。
目前,SK海力士已经完成了HBM4的技术开发和评估,并准备向客户提供样品进行性能测试。一旦测试通过,公司将立即开始量产,以应对市场对高性能内存产品的需求。
此外,12层堆叠HBM4有望被应用于英伟达的下一代AI加速器“Grace Hopper”系列中。英伟达计划提前至2025年下半年量产这一系列,这将促使SK海力士加快提升HBM4的良率和量产进度,以确保按时交货并满足客户需求。