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标题：SK海力士在3D DRAM领域取得里程碑式突破，良品率创新高

在近期举办的VLSI 2024峰会上，SK海力士展示了一项重大技术进步，引领了3D DRAM领域的发展。此次发布不仅体现了公司在前沿科技领域的深厚实力，也彰显了其持续创新的决心。

SK海力士在3D DRAM技术研发上取得了显著成就，最近公布了关键成果。通过此次展示，公司展现了其在复杂技术挑战上的突破，加速了3D DRAM技术的开发进程。

令人瞩目的是，SK海力士已成功实现了5层堆叠的3D DRAM技术，并将良品率提升到了56.1%。这意味着在一个测试晶圆上，大约可以制造1000个3D DRAM单元，其中超过一半（即561个）达到了合格标准，具备了实际应用的潜力。

值得注意的是，实验性3D DRAM在性能方面已经接近传统2D DRAM，显示出了强大的竞争力。尽管如此，SK海力士依然认识到，从实验室成果到商业化应用，还需经过大量技术验证和优化。

然而，3D DRAM相较于2D DRAM在性能上存在一定的波动性。为了实现广泛应用，SK海力士计划继续提升堆叠层数，目标是达到32层至192层的存储单元，这一进展将显著促进3D DRAM技术的商业化步伐。

在全球DRAM市场中，SK海力士、三星和美光等主要供应商仍然占据着主导地位，合计占据了超过96%的市场份额。面对竞争激烈的市场环境，SK海力士的这一突破性进展无疑为未来的发展注入了新的动力。