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随着人工智能（AI）与高性能计算（HPC）行业的迅猛发展，对内存带宽的需求日益增长。当前，具有9.6 GT/s数据传输速率的HBM3E内存已进入量产阶段，而下一代HBM4内存即将面世，预计将在未来两年内与用户见面。

根据Business Korea报道，SK海力士公司副总裁Kim在SEMI韩国大会上宣布，他们计划于2026年前实现HBM4内存的量产，以应对生成式人工智能市场的快速增长需求。生成式AI市场预计年增长率可达35%，这将促进处理器性能提升，从而对内存带宽提出更高要求。

了解到，单颗HBM3E内存堆栈的理论峰值带宽可达1.2TB/s，若内存子系统集成6个堆栈，则总带宽可达惊人的7.2TB/s。然而，实际应用中理论值与之存在差异。例如，英伟达H200显卡虽配备HBM3E内存，其带宽“仅为”4.8TB/s，这可能是出于可靠性与功耗考量。

为了增强内存带宽，HBM4将采用2048位接口，理论峰值带宽预计将超过1.5TB/s。尽管如此，数据传输速率预期维持在约6GT/s，以控制功耗。然而，2048位接口的引入将带来更复杂的布线设计挑战，可能导致HBM4成本较HBM3和HBM3E有所增加。

除了SK海力士，三星也积极参与HBM4内存的研发工作，并计划于2026年实现量产。值得注意的是，三星还针对特定客户提供定制化的HBM内存解决方案。

三星内存业务执行副总裁Kim指出，HBM4目前正在开发中，预计在2025年提供样品，2026年实现量产。鉴于生成式人工智能的需求，定制化HBM内存越来越受欢迎。三星不仅在开发标准化产品，还将与关键客户合作，探讨通过集成逻辑芯片为每个客户提供个性化优化性能的HBM内存方案。