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【环球网科技综合报道】6月9日，恩智浦半导体发布了一款新型射频放大器模块系列，采用了创新的封装技术，旨在为5G基础设施开发更为紧凑的无线设备。这种设计使得基站体积更小，便于安装且更具经济效益，同时也更容易融入周围环境。恩智浦的GaN多芯片模块与最新的顶部冷却方案相结合，不仅能将无线电设备的体积和重量减少超过20%，还降低了5G基站生产和部署过程中的碳排放。

恩智浦的副总裁兼射频功率业务部门负责人Pierre Piel指出：“顶部冷却技术为无线基础设施领域提供了重要的发展机会，使我们能够将高性能与优秀的散热性能结合起来，创造出更加紧凑的射频组件。基于此技术的解决方案，不仅支持建设更环保的基站，还能确保达到5G所需的高度网络密度。”

据透露，恩智浦新推出的顶部冷却型器件具备显著的设计和生产优势，例如无需额外的射频屏蔽，可以使用成本更低的简化印刷电路板，并且实现了热管理和射频设计的分离。这些特点帮助网络解决方案供应商为移动运营商提供更轻薄的5G无线产品，同时缩短了整体设计时间。

恩智浦首次推出的顶部冷却式射频功率模块专门针对32T32R、200W射频设计，频率范围在3.3GHz到3.8GHz之间。该器件融合了恩智浦特有的LDMOS和GaN半导体技术，拥有高增益、高效率和宽频带特性，在400MHz的瞬时带宽下，能实现31dB的增益和46%的效率。